ویفر سیلیکون در تبریز ویفر سیلیکون لایه اکساید 4 اینچ | N Type یک طرف

ویفر سیلیکون ، لایه اکساید ، 4 اینچ | N Type ، یک طرف پلیش کارمولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است. سیلیکون ماده‌ای است از جنس کربن که بعد از اکسیژن، دومین عنصر از نظر میزان فراوانی در زمین است و به طور طبیعی قابل ترکیب نیست. سیلیکون به صورت ترکیب شده با اکسیژن در شن و اغلب سنگ‌ها وجود دارد که سیلیکا (در‌اکسید سیلیسیوم) نام دارد. اگر سیلیکون با عناصری دیگری مثل آهن، آلومینیوم یا پتاسیم ترکیب شود، سیلیکات ایجاد می‌شود. ترکیبات سیلیکونی در اتمسفر، آب‌های معدنی، بسیاری گیاهان و بدن برخی حیوانات وجود دارد. سیلیکون ماده اصلی در ساخت چیپ‌های کامپیوتری، ترانزیستورها، دیودهای سیلیکونی، دیگر مدارهای الکترونیکی و دستگاه‌های سوئیچینگ است چرا که ساختار اتمی آن، این عنصر را برای نیمه‌رسانا، ایده‌آل می‌کند. سیلیکون برای اینکه ویژگی‌های رسانا بودن خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر و آرسنیک ترکیب می‌شود. اولین بار در سال 1824، شیمی‌دان سوئدی به نام جکاب برزلیوس، سیلیکون را به عنوان یک عنصر معرفی کرد. مشخصات فنی: قطر : 4 اینچ ضخامت ( میکرومتر) : 5±455 نوع نیمه رسانا : type -N مقاومت الکتریکی (اهم) :  550-1070 جهت کریستالی :  111 لایه اضافی : لایه اکسیدی ضخامت لایه اکسیدی : 200 نانومتر